专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]多层套筒结构-CN200710127931.8无效
  • 谢智庆 - 谢智庆
  • 2007-06-26 - 2008-12-31 - B25B23/00
  • 一种多层套筒结构,包括一外筒及一内衬套;该内衬套的端口具有缓冲段,该缓冲段将外筒的端口包覆;其中外筒及内衬套之间设有防滑装置;其中防滑装置包括在外筒上设有的数个凹槽,以及内衬套设有相对应的凸缘;防滑装置包括在外筒上设有的数个凸缘
  • 多层套筒结构
  • [发明专利]多层套筒结构-CN200710127932.2无效
  • 谢智庆 - 谢智庆
  • 2007-06-26 - 2008-02-13 - B25B23/00
  • 一种多层套筒结构,包括一外筒及一内衬套;该外筒及内衬套之间设有防滑装置;防滑装置包括在外筒上设有的数个凹槽,以及内衬套设有相对应的凸缘;防滑装置包括在外筒上设有的数个凸缘,以及内衬套设有相对应的凹槽;凸缘为弧形
  • 多层套筒结构
  • [实用新型]多层套筒结构-CN200620026524.9无效
  • 谢智庆 - 谢智庆
  • 2006-06-27 - 2008-04-02 - B25B13/06
  • 一种多层套筒结构,包括一外筒及一内衬套;该外筒及内衬套之间设有防滑装置;防滑装置包括在外筒上设有的数个凹槽,以及内衬套设有相对应的凸缘;防滑装置包括在外筒上设有的数个凸缘,以及内衬套设有相对应的凹槽;凸缘为弧形
  • 多层套筒结构
  • [实用新型]多层组合降噪套筒-CN202222387798.2有效
  • 杨自文;焦娜;贺鹏;张金龙;杨强 - 吴忠仪表工程技术服务有限公司
  • 2022-09-08 - 2022-11-29 - F16K5/04
  • 本实用新型是一种多层组合降噪套筒,包括:多个套设固定的套筒;流道孔,其等分开设在套筒上;其中一套筒,并位于同一高度上相邻的流道孔分别记为第一流道孔,第二流道孔;位于该套筒的内层或外层的另一套筒上,并与第一流道孔处于同一高度的流道孔记为第三流道孔;第三流道孔的两端与分别与第一流道孔、第二流道孔连通;位于第三流道孔下方的流道孔记为第四流道孔;第四流道孔的顶端高于第三流道孔的底端;通过各个套筒上流量孔的重叠,形成连续变化的介质通道,通道的面积的连续变化对通过的介质形成连续阻力,逐级降低介质的压力,控制流速,此外,套筒结构简单,易于加工,可实现批量生成。
  • 多层组合套筒
  • [发明专利]一种陶瓷基刚性多层电路板-CN202010509037.2在审
  • 方炜 - 方炜
  • 2020-06-07 - 2020-08-21 - H05K1/14
  • 本发明公开了一种陶瓷基刚性多层电路板,包括从下至上依次设置的陶瓷电路板、介电层和多层刚性电路板,所述陶瓷电路板、介电层和多层刚性电路板上设置有导电通孔,所述导电通孔内设置有导电膨胀套筒,所述导电膨胀套筒包括套筒本体,所述套筒本体的外套筒壁上设置有导电软胶层,所述导电膨胀套筒的尾部超出所述陶瓷电路板的下端面,所述导电膨胀套筒的头部与所述多层刚性电路板的上端面齐平,所述陶瓷电路板的下端面上还设有与所述导电膨胀套筒的尾部齐平的垫板本发明中的多层刚性电路板和陶瓷电路板之间通过导电膨胀套筒进行连接,从而实现了多层刚性电路板和陶瓷电路板之间的快速连接和导通,因而提高了电路板的生产效率。
  • 一种陶瓷刚性多层电路板
  • [发明专利]晶体生长时利用多层套筒形成的温度梯度控制结构及方法-CN201210028171.6有效
  • 刘朝轩;王晨光 - 洛阳金诺机械工程有限公司
  • 2012-02-09 - 2013-08-14 - C30B11/00
  • 一种晶体生长时利用多层套筒形成的温度梯度控制结构及方法,涉及一种晶体材料的生长设备,在炉室(2)内设有坩埚(7),坩埚的下部处于多层套筒内,多层套筒下端处于于支撑环上,支撑环处于炉室底板或底部保温层(16)上,形成坩埚的下部独立空间;在多层套筒外部设有发热体(5);冷却介质降温机构设置在多层套筒内的下部;由冷却介质降温机构获取的坩埚底部低温区形成坩埚的温度梯度;当发热体对坩埚加热时,通入坩埚下部的冷却介质降温机构的冷气便会处于多层套筒内,最大可能的使冷能不外泄;而此时的发热体也受到冷能的影响最小,较好的实现了坩埚上部温度高下部温度底的温度梯度;由于多层筒套的作用,可确保坩埚极少出现非均匀晶核。
  • 晶体生长利用多层套筒形成温度梯度控制结构方法

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